上海光学和机械EUV光刻技术学院取得了重大成功

荷兰ASML EUV光刻机器（来源：ASML官方网站）的示例图片芯片的芯片极端紫外线（EUV）光刻光源技术取得了重大成功，并且在美国的“瓶子”情况下，使用实心光资源已损坏。根据《全球时报》（Global Times）帐户的“哇，全球新技术”，observer.com等，使用固态激光技术来源，该技术达到了国际高层，并且对中国的独立EUV光刻具有重要意义。以上报告说，预计该技术将被中国筹码独立生产的障碍所破坏。据报道，EUV光刻机器中最主要的子系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，它主要集中于能量转化的效率（CE）。二氧化碳激光器的SN血浆激发大于5％，ITHIS是ASML光刻MACHI的光源的驱动NE。但是，这种轻度资源以前是由Cymer在美国制造的，并且在全球范围内具有垄断地位。因此，林南的团队正在考虑使用实心脉冲激光器，而不是使用二氧化碳激光器作为驾驶光的来源，但是需要进一步提高能源效率。目前，Lin Nan团队1UM固态激光器的CE可以达到3.42％，这超过了荷兰和瑞士研究团队的水平。尽管它不超过4％，但它达到了5.5％的商业光资源效率的一半。扩展全文 Lin Nan团队研究人员估计，光源转换平台的理论最大效率可能接近6％。 A团队计划增加进一步的研究，并希望将来能够更好地实现国内EUV光刻技术的技术。据了解，相关的研究论文已发表在《中国激光杂志》第六期的封面上。NE今年（2025年3月）。 EUV是指长度为13.5nm的强烈紫外线照明。与主流光刻机中使用的193nm光源相比，EUV光源仅五分之一，并且可以在硅晶片中雕刻较小的通道。行业内部人士将明智的EUV描述为手电筒从地面上释放出来，该手电在月球硬币上精确闪耀。 荷兰光刻机器巨头ASML目前是世界上使用EUV的单个印刷机制造商。 国家标准技术研究所（NIST）向EUV光刻机器发表的一份报告指出，半导体光刻的最先进的过程现在使用EUV光源，尤其是13.5nm的光源。 EUV灯允许在半导体中构建较小的单元功能，并且该灯由上述EUVL系统生成市场上有100％的股份。 市场上的主流EUV光刻机器是ASML的NXE：3400C和NXE：3400D。 ASML官方网站的参数表明，7纳米计和5纳米节点的EUV质量的质量产生，以及使后者高15％的效率高于前者20％。如今，三星，TSMC，英特尔和其他人都在努力将EUV光刻机器放入芯片制造中。 但是，由于美国美国部门的扩张控制和中国相关法规，ASML等芯片公司已禁止自2019年以来在中国出售其最先进的EUV光刻模型。 但是仅六年后，中国在EUV光资源水平取得了重大成功。 林南（来源：中国科学院的官方网站） 本文的通讯作者林南（Lin NanCIENCES，国家海外高级人才，超级激光科学技术国家关键实验室副主任，精确光学工程系的技术总工程师，中国仪器协会的综合巡回赛分支，中国光学工程学会的综合巡回赛分支成员，中国光学工程社会的MicroNano特别委员会成员，以及Ditting Is The The Refordss and Company and Dunch and Light的科学家和DUTCH ASML的科学家。 林南（Lin Nan）从事集成电路制造光刻光刻资源和照明光源的芯片量的研究，开发和工程的应用。他拥有超过十年的科学研究，工程项目研究和开发和管理经验，这些经验是大规模综合电路制造和测量设备。迄今为止，他已在美国，日本，韩国和其他COU申请/授权/授权了110多项国际专利ntries。许多专利已转换为产品，并配备了最新的光刻和音量检测设备。他拥有瑞典隆德大学（Lund University）的硕士学位，在2023年诺贝尔奖（Nobel）奖的物理学获奖者，Accademanne L'Huillier，Thackeray Paris大学的医生头衔和法国原子能局的冠军，以及瑞士Eth Zurich的Postdoctoral。 今年2月，林南（Lin Nan）的团队发表了有关“激光和光电子技术进步”的第三期纸张封面，这表明宽带极端紫外线效率高效生成方案基于空间结合的激光锡血浆，可用于高发射量测量高级节点半径。该方案的转化效率高达52.5％，这是迄今为止强烈的紫外线带中报告的最高转化效率，并且比当前使用的商业使用的高阶谐波光资源高约6个数量级。这项研究提供了更多的新技术支持，用于衡量国内光刻。 如今，林南的团队通过建立一个基于固体的激光平台而失去了一步，与ASML工业设备不同，该设备使用二氧化碳驱动技术的光线将电路模式转移到硅和其他底物。 “尽管转化效率仅为3％，但固态激光驱动的LPP-EUV光资源可以增强瓦特水平的能力，这使其适合验证EUV暴露和面具检查。”论文指出，虽然商用二氧化碳激光非常强大，但它们非常大，电流转换的效率低（小于5％），并且操作和功率昂贵。固体脉冲激光在过去十年中取得了快速的进步，并达到了输出曲线水平，预计IIT将来将达到10倍以上。 应该注意的是，当前对固态激光驱动的等离子体EUV光源的研究或1μm固体-STAte激光驱动的SN血浆EUV光源处于实验的早期阶段，尚未完全商业化。 林南（Lin Nan）的团队在论文中指出，结果表明，当激光器的峰值功率密度逐渐增加时，CE达到了3.42％，结果是在国际水平上。 LPP-EUV光源实验平台和相关研究结果为固态激光驱动的等离子体EUV光刻资源和测量资源的国内研究和开发提供了技术支持，并且在EUV光刻以及基本设备以及技术和技术和技术的独立研究和开发中显着意义。 值得一提的是，在本月的投资者会议会议上，金融负责人罗杰·达森（Roger Dassen）表示，中国听说了与光刻机器相关的光刻引擎的发展。中国可能会产生EUV光源，但他认为这仍然需要数年R中国在光刻建造先进的EUV（极端紫外线）设备。 最新的年度报告显示，2024年，ASML净销售额为282.6亿欧元，增长了2.55％，创造了很高的记录。净利润为7.71亿欧元，比2023年降低了3.4％。中国成为最大的ASML市场，销售额达到1019.5亿欧元，占全球总收入的36.1％。 自ES Bannedtados表示，与英特尔，TSMC和三星这样的巨型行业相比，ASML总裁兼首席执行官此前曾表示，与中国相比，Christophe Fouquet向中国出口了EUV光刻设备，中国的芯片技术将消失在西方国家，例如美国，主要是因为美国的出口将无法获得euv设备，这主要是因为美国的出口将无法造成euv设备，因此无法切割euv设备。 Dai Houjie强调，在目前的半导体控制和关税下，中国的需求仍然强劲。他相信2025年，中国的ASML销售额将超过其总收入的25％。 为了回应美国的基本情况，迫使荷兰政府在中国施加技术障碍，中国外交部的发言人此前曾回答过，中国一直反对NG美国国家安全概念的区域化，并利用各种理由来强迫其他国家从事中国的技术封锁。半导体是高度全球化的行业。在各个国家的经济融合的背景下，美国的压迫和压迫严重违反了国际贸易规则，严重的是半导体行业的全球结构，并严重影响国际国际连锁店，经济连锁店以及超级行业链的安全性和稳定性，以及上面的供应，供应，供应，Supper and Supper and Suppra the Supla the Seplus和Supre and Suprecences and Spurecences。中国u将荷兰在市场上维护目标，公平的地位和原则，尊重合同的精神，以实践行动保护中国，荷兰和企业的共同利益，并维持国际稳定，在国际贸易中，这是工业链和供应链以及自由，开放，公开，公正，公正和不夸大的。中国将监控相关趋势并确定其合法权利和利益。 （本文最初发表在钛媒体应用中，带有-set | lin Zhijia）回到Sohu，看看更多